從未來成長動力來看，對于國內(nèi)市場而言，GPU市場將成為拉動半導體芯片需求的核心驅(qū)動力。全球AI產(chǎn)業(yè)正快速發(fā)展，北美企業(yè)每年需投入數(shù)千億元采購英偉達的GPU芯片。

國內(nèi)云計算市場約占全球五分之一的份額，按理說，國內(nèi)算力需求也應占到全球20%-30%的份額。因此，中國GPU市場的規(guī)模其實非?？捎^。

GPU的放量將帶動先進制程的需求加速增長。除了GPU之外，消費電子領域也存在對先進制程的需求。例如，蘋果當前的A18芯片已采用臺積電的先進制程，未來蘋果還計劃將臺積電3納米制程進一步升級至2納米。不過，國內(nèi)高端手機芯片的制程進度目前仍落后于蘋果。因此，國內(nèi)消費電子領域未來也將推動手機芯片向更先進制程升級，這將進一步帶動先進制程需求的加速擴張。相應地，先進制程的產(chǎn)能也需要進一步擴充。

另一方面，我們可以看到現(xiàn)在的GPU，海外如英偉達的芯片（包括其H100及當前熱門的GB200），采用的都是臺積電4納米左右的制程。但對于大陸的部分GPU廠商而言，其使用的制程主要集中在7到14納米。因此，若GPU持續(xù)放量，將帶來先進制程擴產(chǎn)所需的額外設備需求。由此可見，先進制程當前的擴產(chǎn)需求較為急迫，國產(chǎn)設備在該賽道將迎來更多機會。當然，國內(nèi)設備廠商未必能在初期就占據(jù)較大份額，但這種緩慢替代的過程，已奠定了半導體設備賽道的中長期景氣基礎。

另一個市場關注的焦點是存儲行業(yè)的情況。存儲市場分類繁多，但DRAM和NAND兩大產(chǎn)品占據(jù)了98%至99%的市場份額，是最核心的品類。不過，這兩類產(chǎn)品的主要市場份額仍由日韓及美國廠商占據(jù)，大陸廠商的份額相對較少。

為什么存儲價格會大幅上漲？其實核心原因源于AI的虹吸效應。英偉達這類芯片中會大量使用HBM，這是因為在AI訓練與推理過程中，計算的開銷其實很低——芯片依靠晶體管中的器件運作即可完成計算，且計算速度極快，真正的瓶頸在于數(shù)據(jù)需要不斷搬運、頻繁切換，由此帶來的存儲與傳輸需求會非常大。

因此，內(nèi)存性能一直限制著AI芯片的性能提升。從海外情況來看，英偉達在GPU周圍配置了大量HBM，通過HBM的高速數(shù)據(jù)交換保障持續(xù)計算。在近期的CES2026上，黃仁勛宣布了一項存儲池化技術，該技術通過存儲池化為芯片額外增加了對NAND的需求，每張GPU大約對應16TBNAND容量，相比以往翻了三四倍，這也將推動存儲需求快速擴張。

AI芯片自2023年起進入了爆發(fā)式增長階段。2023年全球GPU出貨量還相對較少，但截至2025年來看，全球GPU（包括ASIC）出貨量已接近或超過1000萬片，增長速度極為迅猛。GPU持續(xù)放量將帶動相關存儲需求，而需求增長極為迅猛，供給卻未能同步快速提升，這就導致了供不應求的局面。對于美光等技術先進的海外公司，他們顯然更愿意將產(chǎn)能投向利潤率更高的HBM產(chǎn)品，這就導致他們在部分舊有產(chǎn)品上的產(chǎn)能快速收縮。以DDR4為例，海外產(chǎn)能收縮速度極快，而今年DDR4的下游領域（如消費電子、家電等）需求相對穩(wěn)健，這種供需錯配直接導致相關產(chǎn)品價格大幅上漲。

當然，不同階段的漲價節(jié)奏存在差異，有時NAND漲勢更快，有時DRAM漲幅更突出。但總體來看，去年Q4存儲模組的合約價格已大幅上漲，而據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，今年Q1DRAM合約價格預計還將上漲50%至60%。

如果存儲行業(yè)持續(xù)增長，從投資角度該如何布局，這是我長期思考的問題。比如，大家若想通過指數(shù)類ETF布局存儲板塊，難度其實很大。因為我梳理了市場上主流的半導體相關指數(shù)后發(fā)現(xiàn)，這類ETF的存儲板塊占比普遍僅10%，甚至不足20%。因此，存儲行情與這類ETF雖有相關性，但ETF行情并非主要由存儲行情驅(qū)動。

順著這個思路，存儲漲價的本質(zhì)是產(chǎn)能端供不應求，需求增長的核心驅(qū)動力是全球AI技術的快速發(fā)展；而當供給端出現(xiàn)調(diào)整時，存儲行業(yè)有望啟動擴產(chǎn)，這將直接利好半導體設備板塊。

存儲產(chǎn)線的國產(chǎn)化率顯著高于先進制程領域。此外，存儲行業(yè)正呈現(xiàn)明顯的3D化趨勢，如圖所示，存儲芯片通過不斷堆疊存儲顆粒來增加層數(shù)，這種堆疊過程將更利好刻蝕、薄膜沉積等環(huán)節(jié)。

數(shù)據(jù)來源：智研咨詢，中國海關總署，中微公司，北方華創(chuàng)，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，華金證券研究所，泛林，交銀國際

網(wǎng)上可查的相關數(shù)據(jù)顯示，尤其是NAND芯片，其層數(shù)不斷增加的同時，刻蝕環(huán)節(jié)也會相應增多，因此刻蝕設備在整條產(chǎn)線中的價值量占比也會更高。此外，隨著3D化趨勢的推進，對技術的要求也在不斷提高，例如，目前深寬比90:1的刻蝕技術已逐步得到應用。

因此，存儲擴產(chǎn)將更利好國產(chǎn)設備，其中，國產(chǎn)設備在薄膜沉積、刻蝕等優(yōu)勢環(huán)節(jié)將顯著受益，而光刻等相對弱勢的環(huán)節(jié)，其重要性則相對被弱化。

此外，“兩存”的上市也是市場關注的焦點。若“兩存”成功上市，疊加當前存儲價格超預期上漲、產(chǎn)能持續(xù)供不應求的態(tài)勢，行業(yè)擴產(chǎn)預期有望進一步升溫，這將為半導體設備板塊帶來持續(xù)催化。

剛才提到的3D化趨勢，從2D到3D，存儲芯片通過不斷堆疊存儲顆粒實現(xiàn)升級。由于是逐層堆疊，需要進行多次刻蝕，例如挖掘溝道，且挖掘的溝道相比以往更深。因此，刻蝕設備在存儲產(chǎn)線中的價值量占比有望持續(xù)提升。

目前，主流廠商已基本推出300多層的3DNAND芯片，據(jù)第三方數(shù)據(jù)預測，到2030年這一數(shù)字可能會增加到1000層左右。層數(shù)的顯著提升，也意味著相關環(huán)節(jié)的景氣度將持續(xù)向好。

一個重要的變化是，當前由存儲擴產(chǎn)驅(qū)動的半導體設備行情，其炒作邏輯與以往不同。以往半導體設備的炒作邏輯主要圍繞自主可控進度，核心是關注國產(chǎn)設備在大陸市場的滲透率提升，本質(zhì)是國產(chǎn)設備逐步擠占海外廠商在國內(nèi)的市場份額。

而存儲驅(qū)動的半導體設備行情邏輯完全不同，其核心驅(qū)動力來自全球AI的發(fā)展。例如，海外AIGPU持續(xù)快速出貨，將進一步加劇全球存儲產(chǎn)能的供不應求，這將推動國內(nèi)存儲行業(yè)加速擴產(chǎn)，在此過程中，相關半導體設備廠商將持續(xù)接到更多訂單。

因此，當前看待半導體設備板塊，不應再僅局限于自主可控這一單一視角。自主可控固然重要，但已非唯一的核心邏輯。當前半導體設備板塊已如同此前的光模塊、PCB等海外算力相關環(huán)節(jié)，進入了與海外算力強映射的階段。例如，當前海外部分存儲公司資本開支超預期時，國內(nèi)半導體設備板塊的股價也會有所反應，這種映射關系在近兩個月表現(xiàn)得尤為明顯。大家若有興趣可對比觀察，當出現(xiàn)相關催化因素時，國內(nèi)半導體設備板塊與北美主要存儲及半導體設備公司的股價映射關系十分清晰。

由此可見，存儲擴產(chǎn)為半導體設備板塊帶來的核心利好在于，其行情將跟隨AI賽道同步發(fā)展，進入高景氣成長階段。

半導體設備行情已從單一自主可控，升級為與海外算力強映射的格局，海外存儲企業(yè)資本開支變動對國內(nèi)板塊催化明顯。當前板塊估值分位低于主流芯片指數(shù)，性價比突出。半導體設備ETF（159516）優(yōu)勢顯著：持倉涵蓋設備與材料領域龍頭，聚焦核心工藝環(huán)節(jié)；是市場規(guī)模最大、流動性最佳的半導體設備主題ETF，當前節(jié)點半導體設備ETF（159516）催化邏輯明確，是把握行業(yè)景氣周期的優(yōu)選工具。

風險提示：

投資人應當充分了解基金定期定額投資和零存整取等儲蓄方式的區(qū)別。定期定額投資是引導投資人進行長期投資、平均投資成本的一種簡單易行的投資方式。但是定期定額投資并不能規(guī)避基金投資所固有的風險，不能保證投資人獲得收益，也不是替代儲蓄的等效理財方式。

無論是股票ETF/LOF基金，都是屬于較高預期風險和預期收益的證券投資基金品種，其預期收益及預期風險水平高于混合型基金、債券型基金和貨幣市場基金。

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