2025年12月30日晚間，長鑫科技披露招股書，籌劃募資295億元，加上自有資金共計345億元，擬投資于存儲相關項目，存儲主線持續(xù)景氣。

資金持續(xù)搶籌，聚焦上游半導體設備領域的半導體設備ETF(159516)近20日凈流入近22億元，年初以來份額增長超200%，當前規(guī)模超88億元，居同類產(chǎn)品第一。

存儲擴產(chǎn)主線明確，半導體設備確定性強

消息面，2025年12月30日晚間，長鑫科技披露招股書，籌劃募資295億元，加上自有資金共計345億元，擬投資于存儲晶圓制造量產(chǎn)線技術升級項目、DRAM存儲器技術升級項目、動態(tài)隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發(fā)項目。

據(jù)招書信息，長鑫科技是我國規(guī)模最大、技術最先進、布局最全面的DRAM研發(fā)設計制造一體化企業(yè)。產(chǎn)品覆蓋DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X等產(chǎn)品，據(jù)Omida信息，按出貨量口徑，公司已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。

由于AI需求爆發(fā)擠占了存儲產(chǎn)能，今年以來，存儲相關產(chǎn)品漲價幅度較大。據(jù)第三方數(shù)據(jù)，DRAM（內(nèi)存）與NAND Flash（閃存）現(xiàn)貨價格自9月起累計漲幅均超過300%，第四季度合約價同比上漲75%，DDR5顆粒單月漲幅甚至突破90%。

展望后市，AI GPU或仍將保持較陡峭斜率上漲，疊加AI推理等市場興起，存儲產(chǎn)能緊缺或成為貫穿2026年的投資主線之一，存儲龍頭上市也有望強化存儲擴產(chǎn)預期。目前存儲3D堆疊趨勢持續(xù)提升刻蝕、薄膜沉積及配套的量測等環(huán)節(jié)設備在產(chǎn)線上價值量占比，疊加存儲產(chǎn)線對國產(chǎn)化率要求較高，相關半導體設備龍頭或持續(xù)受益。且由于目前A股尚無存儲原廠標的，更無相關的ETF，半導體設備成為存力景氣投資確定性最強的方向之一。

“存儲擴產(chǎn)+先進制程擴產(chǎn)”雙重推動，把握半導體設備ETF（159516）景氣機遇

“存儲擴產(chǎn)+先進制程擴產(chǎn)”雙重推動，半導體設備ETF（159516）具備“催化明確+估值較低”兩大優(yōu)勢。這一輪存儲甚至半導體設備的敘事不同于以往的周期復蘇或國產(chǎn)替代，而是實打實的受益于全球AI驅動的高景氣。無論是AI算力所需的先進制程擴產(chǎn)，還是AI存力推動的存儲擴產(chǎn)，半導體設備都是突破產(chǎn)能瓶頸的核心環(huán)節(jié)。

從近期光刻機進口數(shù)據(jù)看，11月光刻機進口金額為46億元，其中上海進口35億元。9月以來，上海光刻機進口開始爆量， 9-11月光刻機進口數(shù)據(jù)分別為62億元、43億元和35億元，三個月合計進口規(guī)模接近2024年全年（150億元），擴產(chǎn)需求強烈。

當前去舊迎新之際，春季躁動之時。元旦后，半導體設備公司或開始向市場傳遞新一年的訂單指引，加上兩存上市推進、存儲漲價、AI高增等催化重重共振，半導體設備ETF（159516）具備較高性價比，建議持續(xù)關注。

半導體設備ETF（159516）跟蹤中證半導體材料設備主題指數(shù)，能較好代表設備材料環(huán)節(jié)基本面進展，感興趣的投資者可以關注相關半導體設備ETF（159516）布局機會。

數(shù)據(jù)來源：中證指數(shù)公司，截至2025年12月30日。指數(shù)成分股僅供參考，不代表投資建議。

注：數(shù)據(jù)來源：ifind，截至2025年12月30日，半導體設備ETF規(guī)模為88.23億元，在同類6只產(chǎn)品中排名第一。

風險提示：提及個股僅用于行業(yè)事件分析，不構成任何個股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構成對基金業(yè)績的承諾或保證。觀點可能隨市場環(huán)境變化而調(diào)整，不構成投資建議或承諾。提及基金風險收益特征各不相同，敬請投資者仔細閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風險等級及收益分配原則，選擇與自身風險承受能力匹配的產(chǎn)品，謹慎投資。