截至2026年1月23日 13點30分，上證科創(chuàng)板半導體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.77%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，興福電子領(lǐng)漲5.56%，新益昌上漲2.88%，金宏氣體上漲2.33%；和林微納領(lǐng)跌5.08%，神工股份下跌4.73%，盛美上海下跌4.54%?？苿?chuàng)半導體ETF（588170）下跌0.97%。從資金凈流入方面來看，科創(chuàng)半導體ETF近6天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得9.88億元凈流入，合計“吸金”28.74億元，日均凈流入達4.79億元。 截至2026年1月23日 13點33分，中證半導體材料設(shè)備主題指數(shù)上漲0.22%，成分股江化微上漲10.00%，立昂微上漲4.21%，金海通上漲2.66%，有研新材上漲2.53%，南大光電上漲2.39%。半導體設(shè)備ETF華夏（562590）上漲0.25%。從資金凈流入方面來看，半導體設(shè)備ETF華夏近13天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得3.65億元凈流入，合計“吸金”19.33億元，日均凈流入達1.49億元。 日本存儲巨頭鎧俠日前警告稱，至少在未來兩年內(nèi)，存儲市場將持續(xù)受到AI相關(guān)投資的影響。更糟糕的是，消費者將不得不為相同的產(chǎn)品支付更高的價格。鎧俠存儲器事業(yè)部執(zhí)行董事中戶俊介（Shunsuke Nakato）本周早些時候證實，公司2026年的NAND閃存產(chǎn)能已全部售罄。 相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導體設(shè)備（60%）和半導體材料（25%）細分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術(shù)進展。 半導體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導體設(shè)備（63%）、半導體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導體上游。